BC847SH6327XTSA1

Symbol Micros: TBC847sh
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC847SH6327; BC847SH6327XTSA1; BC847SH6433XTMA1;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: Infineon Symbol producenta: BC847SH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT363 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2100 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,5270 0,3500 0,2920 0,2720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 450
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta