BC848B
Symbol Micros:
TBC848b DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848B-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 280 |
| Obudowa: | SOT-23 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC848B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3570 | 0,1420 | 0,0833 | 0,0613 | 0,0549 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC848B
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 20+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0825 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC848B
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
| ilość szt. | 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0549 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 280 |
| Obudowa: | SOT-23 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |
Odpowiedniki
BC848BLT1G
Tranzystor NPN; 450; 300mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC858B; BC848B.215; BC848B.235; BC848BLT1G; BC848BE6433; BC848BE6327; BC848BLT3G; BC848B-CDI;
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BC848BLT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
400 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4430 | 0,1750 | 0,1020 | 0,0746 | 0,0682 |
Sposób pakowania: 3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BC848BLT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
Stan magazynowy
760 szt.
| Ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,4430 | 0,1750 | 0,1020 | 0,0746 | 0,0682 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BC848BLT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
42000 szt.
| Ilość szt. | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0682 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol producenta:
BC848BLT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
246000 szt.
| Ilość szt. | 9000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0682 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC848B-7-F
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848B-13-F
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol producenta:
BC848B-7-F
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
45000 szt.
| Ilość szt. | 12000+ |
| cena netto (PLN) | 0,0461 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC848BE6327XT INFINEON
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R BC848BE6433HTMA1; BC848BL3E6327XTMA1;
Producent:
Infineon
Symbol producenta:
BC848BE6327HTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
Stan magazynowy
45000 szt.
| Ilość szt. | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1068 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC848B,215
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R BC848B.215; BC848B,235;
Producent:
NXP
Symbol producenta:
BC848B,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8510 | 0,4310 | 0,2610 | 0,2070 | 0,1890 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)
BC848B MERRY
Tranzystor NPN; 450; 200mW, 30V; 100mA; 100MHz, -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC848B,215; BC848B,235; BC848BLT1G; BC848BLT3G; BC848BE6327HTSA1; BC848BE6433HTMA1; BC848B RFG; BC848B-7-F; BC848B-13-F; BC848B-TP;
Producent:
MERRY
Symbol producenta:
BC848B RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
Stan magazynowy
6000 szt.
| Ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
| cena netto (PLN) | 0,1610 | 0,0588 | 0,0311 | 0,0232 | 0,0215 |
Sposób pakowania: 3000
Ilość (wielokrotność 1)