BC848BWT1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TBC848bw ONS
Obudowa: SOT323
Tranzystor NPN; 450; 200mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT323 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Obudowa: | SOT323 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |