BC849B SOT23 DIOTEC
Symbol Micros:
TBC849b
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 450; 250mW; 30V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik; BC849B,215; BC849B,235; BC849BLT1G; BC849B-DIO;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC849B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5900 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 400+ | 3000+ | 12000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3210 | 0,1230 | 0,0603 | 0,0479 | 0,0458 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BC849BE6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
21000 szt.
| ilość szt. | 18000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0980 |
Producent: DIOTEC
Symbol producenta: BC849B
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
126000 szt.
| ilość szt. | 18000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0458 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | DIOTEC |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 300MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |