BC849C smd

Symbol Micros: TBC849c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 30V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; BC849C,215; BC849C.215;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: CDIL
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 250mW
Producent: CDIL
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN