BC849C DIOTEC

Symbol Micros: TBC849c DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 800; 250mW; 30V; 100mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC849C-DIO;
Parametry
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC849C Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
315000 szt.
ilość szt. 18000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0324
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Częstotliwość graniczna: 300MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Producent: DIOTEC
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN