BC850CLT1G

Symbol Micros: TBC850c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 800; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik:BC850C-DIO; BC850CLT1G;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semiconductor Symbol producenta: BC850CLT1G Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
ilość szt. 500+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia)
cena netto (PLN) 0,1335
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 40 Euro.
Moc strat: 300mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN