BC856A SOT23 HT SEMI

Symbol Micros: TBC856a HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; Bipolar; 250; 65V; 5V; 100MHz; 100mA; 250mW; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BC856A RoHS SY Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1830 0,0684 0,0366 0,0273 0,0252
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP