BC856BW SOT323 CDIL

Symbol Micros: TBC856bw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 65V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC856BDW1LTG; BC856BDW1L3G; BC856BW,115;
Parametry
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: CDIL
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Producent: CDIL Symbol producenta: BC856BW RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1270 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3310 0,1300 0,0762 0,0557 0,0509
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: CDIL
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 65V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP