BC856C SOT23 HT SEMI

Symbol Micros: TBC856c HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 600; 300mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BC856C RoHS 15S Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1860 0,0678 0,0359 0,0268 0,0248
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 600
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP