BC857BS-QX
Symbol Micros:
TBC857BS-QX
Obudowa: SOT363
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC857BS-QX RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4600 | 0,8020 | 0,6310 | 0,5840 | 0,5600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC857BS-QX
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
540000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5600 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT363 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |