BC857BS-QX
Symbol Micros:
TBC857BS-QX
Obudowa: SOT363
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC857BS-QX RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8860 | 0,4210 | 0,2370 | 0,1800 | 0,1610 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 450 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |