BC857BS SOT363 RealChip
Symbol Micros:
TBC857bs REA
Obudowa: SOT363
Tranzystor PNP; 630; 300mW; 45V; 200mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BS,115; BC857BS,135; BC857BS-7-F; BC857BS-13-F;
Parametry
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | RealChip |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Moc strat: | 300mW |
| Producent: | RealChip |
| Obudowa: | SOT363 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 200mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |