BC857BW SOT323(T/R) ONSEMI

Symbol Micros: TBC857bw
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BW RF; BC857BW,115; BC857BW,135; BC857BW-7-F; BC857BW-TP; BC857BWT1G; BC857BWH6327XTSA1; BC857BWH6778XTSA1;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC857BWT1G Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0508
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC857BWT1G Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
69000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0585
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: ON-Semicoductor Symbol producenta: BC857BWT1G Obudowa dokładna: SOT323  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0561
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200mW
Producent: NXP
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP