BC857C SOT23 HT SEMI

Symbol Micros: TBC857c HTSEMI
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; ODPOWIEDNIK: BC857C;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: HT SEMI Symbol producenta: BC857C RoHS 3G Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
27000 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,1730 0,0632 0,0334 0,0250 0,0231
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/30000
Moc strat: 200mW
Producent: HT
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP