BC859C SOT23 MSKSEMI

Symbol Micros: TBC859c MSK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Trans Bipolar (BJT) odpowiednik: BC859C-MS;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: MSK
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: MSKSEMI Symbol producenta: BC859C-MS RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 300+ 1500+ 7500+
cena netto (PLN) 0,3410 0,1310 0,0678 0,0529 0,0487
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Moc strat: 250mW
Producent: MSK
Obudowa: SOT23
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN