BC859C,215 SOT23 NXP
Symbol Micros:
TBC859c NXP
Obudowa: SOT23
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R ODPOWIEDNIK: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC859C,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5890 | 0,2800 | 0,1570 | 0,1190 | 0,1070 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
120000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0576 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
51000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0539 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0519 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |