BC859C,215 SOT23 NXP
Symbol Micros:
TBC859c NXP
Obudowa: SOT23
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R ODPOWIEDNIK: BC859C,215; BC859C,235; BC859C.215; BC859C.235; BC859C215;
Parametry
Moc strat: | 250mW |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC859C,215 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,4610 | 0,2110 | 0,1150 | 0,0860 | 0,0768 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0768 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0768 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0768 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0539 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0576 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859C,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,0519 |
Moc strat: | 250mW |
Producent: | NXP |
Obudowa: | SOT23 |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |