BC859CW SC70-3(T/R) NEXPERIA
Symbol Micros:
TBC859cw
Obudowa: SC70-3
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R ODPOWIEDNIK: BC859CW,135; BC859CW,115; BC859CW.135; BC859CW.115;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC859CW,115 RoHS
Obudowa dokładna: SC70-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4910 | 0,2250 | 0,1230 | 0,0917 | 0,0819 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859CW,135
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0819 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859CW,115
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0819 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859CW,115
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0650 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859CW,135
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
| ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0601 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC859CW,115
Obudowa dokładna: SC70-3
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0596 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Obudowa: | SC70-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |