BC860B SOT23 LGE
Symbol Micros:
TBC860b LGE
Obudowa: SOT23
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: LGE
Symbol producenta: BC860B RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
Stan magazynowy:
3000 szt.
| ilość szt. | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2450 | 0,0917 | 0,0491 | 0,0366 | 0,0338 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | LGE |
| Obudowa: | SOT23 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |