BC860B SOT23 LGE

Symbol Micros: TBC860b LGE
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: LGE
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-02-20
Ilość szt.: 6000
Moc strat: 250mW
Producent: LGE
Obudowa: SOT23
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 475
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP