BC860C

Symbol Micros: TBC860c DIOTEC
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC860C; BC860CWH6327; BC860C-DIO;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: DIOTEC
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC860C RoHS 3G/4G. Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
6500 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3740 0,1470 0,0860 0,0629 0,0575
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: DIOTEC Symbol producenta: BC860C Obudowa dokładna: SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0575
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 250mW
Producent: DIOTEC
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta