BC868,115

Symbol Micros: TBC868
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 375; 1,35W; 20V; 2A; 170MHz; -55°C ~ 150°C; BC868 SMD; BC868,115; BC868;
Parametry
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Obudowa: SOT89
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: NXP Symbol producenta: BC868,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
93 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6570 0,5090 0,4700 0,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: NXP Symbol producenta: BC868.115 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
7 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2700 0,6710 0,5200 0,4800 0,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
967
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Obudowa: SOT89
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta