BC868,115
Symbol Micros:
TBC868
Obudowa: SOT89
Tranzystor NPN; 375; 1,35W; 20V; 2A; 170MHz; -55°C ~ 150°C; BC868 SMD; BC868,115; BC868;
Parametry
| Moc strat: | 1,35W |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 375 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC868.115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
23 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2700 | 0,6710 | 0,5200 | 0,4800 | 0,4600 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC868,115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
520 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2400 | 0,6570 | 0,5090 | 0,4700 | 0,4500 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BC868.115 RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
107 szt.
| ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,2700 | 0,6710 | 0,5200 | 0,4800 | 0,4600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC868,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC868,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4600 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BC868,115
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
| ilość szt. | 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4600 |
| Moc strat: | 1,35W |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 375 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 170MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 2A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |