BC869

Symbol Micros: TBC869
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Tranzystor PNP; 375; 1,35W; 20V; 2A; 140MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC869,115; BC869,135;
Parametry
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: NXP Symbol producenta: BC869 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,6930 0,5370 0,4960 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: NXP Symbol producenta: BC869,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
790 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,6930 0,5370 0,4960 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC869,115 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC869,115 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BC869,115 Obudowa dokładna: SOT89  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP