BC869

Symbol Micros: TBC869
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 375; 1,35W; 20V; 2A; 140MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC869,115; BC869,135;
Parametry
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: NXP Symbol producenta: BC869,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
790 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,6930 0,5370 0,4960 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: NXP Symbol producenta: BC869 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3100 0,6930 0,5370 0,4960 0,4750
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Częstotliwość graniczna: 140MHz
Obudowa: SOT89
Maksymalny prąd kolektora: 2A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta