BCM857BS-7-F DIODES INC.
Symbol Micros:
TBCM857BS-7-F Diodes
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xPNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Producent: | DIODES |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Obudowa: | SOT363 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Moc strat: | 200mW |
Producent: | DIODES |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 475 |
Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
Obudowa: | SOT363 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | 2xPNP |