BCP53
Symbol Micros:
TBCP53t1g
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor PNP; 250; 1,35W; 80V; 1A; 145MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP53TA; BCP53T1G; BCP53.115; BCP53,115;
Parametry
| Moc strat: | 1,35W |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | SOT223t/r |
| Częstotliwość graniczna: | 145MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BCP53 RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 2,7100 | 1,7200 | 1,3600 | 1,2400 | 1,1800 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCP53T1G
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,1800 |
| Moc strat: | 1,35W |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | SOT223t/r |
| Częstotliwość graniczna: | 145MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |