BCP55-16TA

Symbol Micros: TBCP5516 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 2W; 60V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5516TA;
Parametry
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5516TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9000 0,3890 0,2420 0,2060 0,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Moc strat: 2W
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN