BCP56 HXY MOSFET

Symbol Micros: TBCP56 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 250; 1,5W; 80V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56,115; BCP56TA; BCP56T1G; BCP56T3G;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Producent: HXY MOSFET
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: BCP56 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
740 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8580 0,3430 0,2000 0,1660 0,1560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1,5W
Producent: HXY MOSFET
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta