BCP56-10,115

Symbol Micros: TBCP5610
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 160; 1,35W; 80V; 1A; 180MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP56-10,115; BCP56-10; BCP56-10.115;
Parametry
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: NXP Symbol producenta: BCP56-10,115 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
494 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7100 1,7200 1,3600 1,2400 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5610TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BCP56-10TX Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5610TA Obudowa dokładna: SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 1,35W
Producent: NXP
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 160
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 180MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN