BCP5616TA

Symbol Micros: TBCP5616 DIO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL);
Parametry
Moc strat: 2W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP5616TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2100 0,5860 0,4020 0,3570 0,3450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/3000
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-12-31
Ilość szt.: 5000
Moc strat: 2W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN