BCP5616TA
Symbol Micros:
TBCP5616 DIO
Obudowa: SOT223
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP5616TC (4K/REEL); BCP5616TA (1K/REEL);
Parametry
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | SOT223 |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCP5616TA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3410 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8780 | 0,4400 | 0,2620 | 0,2170 | 0,1950 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: BCP5616TA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
37100 szt.
| ilość szt. | 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1950 |
| Moc strat: | 2W |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 250 |
| Obudowa: | SOT223 |
| Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 1A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 80V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |