BCP56TA DIODES

Symbol Micros: TBCP56TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223-4
Tranzystor NPN; 250; 2W; 80V; 1A; 150MHz; -65°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223-4
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP56TA RoHS Obudowa dokładna: SOT223-4 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
870 szt.
ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,8320 0,3330 0,1930 0,1610 0,1510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Producent: Nexperia Symbol producenta: BCP56TF Obudowa dokładna: SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: DIODES/ZETEX Symbol producenta: BCP56TA Obudowa dokładna: SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt.
ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1512
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Nexperia Symbol producenta: BCP56TX Obudowa dokładna: SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1821
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 2W
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 250
Producent: DIODES
Obudowa: SOT223-4
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 80V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN