BCP69-25 JGSEMI

Symbol Micros: TBCP69-25 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT223
Tranzystor PNP; 375; 1W; 20V; 1A; 40MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCP69-25,115; BCP69-25,135; BCP69-25E6327; BCP6925E6327HTSA1; BCP6925H6327XTSA1; BCP6925TA; BCP6925TC; BCP69-25-TP;
Parametry
Moc strat: 1W
Producent: JGSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Producent: JGSEMI Symbol producenta: BCP69-25 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,5610 0,3340 0,2770 0,2490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Moc strat: 1W
Producent: JGSEMI
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 375
Obudowa: SOT223
Częstotliwość graniczna: 40MHz
Maksymalny prąd kolektora: 1A
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP