BCR133E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCR133
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR133E PDTC114ET; BCR133E6433; BCR133E6327; BCR133E6327HTSA1; BCR133E6433HTMA1; BCR133;
Parametry
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR133E6327HTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
295 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8690 0,4130 0,2320 0,1760 0,1580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR133E6433HTMA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
810000 szt.
ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR133E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR133E6327HTSA1 Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
92000 szt.
ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1613
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Moc strat: 200mW
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 30
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN