BCR133E6327HTSA1
Symbol Micros:
TBCR133
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 30; 200mW; 50V; 100mA; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR133E PDTC114ET; BCR133E6433; BCR133E6327; BCR133E6327HTSA1; BCR133E6433HTMA1; BCR133;
Parametry
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
Producent: | Infineon Technologies |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR133E6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
295 szt.
ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
cena netto (PLN) | 0,8690 | 0,4130 | 0,2320 | 0,1760 | 0,1580 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR133E6433HTMA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
810000 szt.
ilość szt. | 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1580 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR133E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
27000 szt.
ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1580 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR133E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
92000 szt.
ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
---|---|
cena netto (PLN) | 0,1613 |
Moc strat: | 200mW |
Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
Producent: | Infineon Technologies |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 30 |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | NPN |