BCR142

Symbol Micros: TBCR142
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 70; 200mW; 50V; 100mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR142E6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 200mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Częstotliwość graniczna: 150MHz
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN