BCR185SH6327 Infineon
Symbol Micros:
TBCR185s
Obudowa: SOT363
Tranzystor 2xPNP; 70; 250mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR185SH6327XTSA1; BCR185SE6327; BCR185SH6327TR;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR185SH6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0400 | 0,5670 | 0,3720 | 0,3210 | 0,2960 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR185SH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2960 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 70 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | 2xPNP |