BCR185WH6327

Symbol Micros: TBCR185w
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT323
Tranzystor PNP; 70; 250mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR185WH6327XTSA1; BCR185WH6327;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR185WH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
4500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,4520 0,2540 0,1930 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 250mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Obudowa: SOT323
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP