BCR191

Symbol Micros: TBCR191
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 50; 200mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR191E6327; BCR191E6327HTSA1;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR191 WOs RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 900+ 3600+
cena netto (PLN) 0,3700 0,1460 0,0856 0,0636 0,0569
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
900
Moc strat: 200mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 200MHz
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta