BCR191
Symbol Micros:
TBCR191
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 50; 200mW; 50V; 100mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR191E6327; BCR191E6327HTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR191 WOs RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 900+ | 3600+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,3700 | 0,1460 | 0,0856 | 0,0636 | 0,0569 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR191E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt.
| ilość szt. | 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1385 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR191E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
| ilość szt. | 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1183 |
| Moc strat: | 200mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |