BCR198E6327 Infineon

Symbol Micros: TBCR198
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor PNP; 70; 200mW; 50V; 100mA; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR198E6327HTSA1; BCR 198 E6327;
Parametry
Moc strat: 200mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 190MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR 198 E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3660 0,1440 0,0842 0,0616 0,0563
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 200mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SOT23-3
Częstotliwość graniczna: 190MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: PNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta