BCR22PN
Symbol Micros:
TBCR22pn
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 50; 250mW; 50V; 100mA; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR22PNH6327; BCR22PNH6327XTSA1; BCR22PNH6433XTMA1;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: import
Symbol producenta: BCR22PN
Obudowa dokładna: SOT363
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 5+ | 10+ | 30+ | 100+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6330 | 0,4160 | 0,2350 | 0,1490 | 0,1150 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR22PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2155 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR22PNH6327XTSA1
Obudowa dokładna: SOT363
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2107 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 50 |
| Obudowa: | SOT363 |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |