BCR22PN

Symbol Micros: TBCR22pn
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT363
Tranzystor NPN/PNP; 50; 250mW; 50V; 100mA; 130MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR22PNH6327; BCR22PNH6327XTSA1; BCR22PNH6433XTMA1;
Parametry
Moc strat: 250mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: import Symbol producenta: BCR22PN Obudowa dokładna: SOT363  
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 5+ 10+ 30+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 0,6330 0,4160 0,2350 0,1490 0,1150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Moc strat: 250mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 50
Częstotliwość graniczna: 130MHz
Obudowa: SOT363
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN/PNP