BCR521E6327HTSA1
Symbol Micros:
TBCR521
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: BCR521E6327HTSA1; BCR521E6327;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR521E6327 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,8930 | 0,4920 | 0,3260 | 0,2710 | 0,2550 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCR521E6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23-3
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2550 |
| Moc strat: | 330mW |
| Producent: | INFINEON |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 20 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |