BCR521E6327HTSA1

Symbol Micros: TBCR521
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; Bipolar; 20; 12V; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: BCR521E6327HTSA1; BCR521E6327;
Parametry
Moc strat: 330mW
Producent: INFINEON
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR521E6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8930 0,4920 0,3260 0,2710 0,2550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Moc strat: 330mW
Producent: INFINEON
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 20
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Obudowa: SOT23-3
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta