BCR523UE6327

Symbol Micros: TBCR523u
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SC74-6
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor NPN; 70; 330mW; 50V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR523UE6327HTSA1; BCR523UE6433HTMA1;
Parametry
Moc strat: 330mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SC74-6
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCR523UE6327 RoHS Obudowa dokładna: SC74-6 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3600 0,8670 0,6080 0,5280 0,4940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Moc strat: 330mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 70
Obudowa: SC74-6
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 50V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta