BCR562
Symbol Micros:
TBCR562
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 60; 330mW; 50V; 500mA; 150MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCR562E6327;
Parametry
Moc strat: | 330mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Moc strat: | 330mW |
Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 60 |
Częstotliwość graniczna: | 150MHz |
Producent: | Infineon Technologies |
Obudowa: | SOT23 |
Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 50V |
Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
Typ tranzystora: | PNP |