BCV46,215
Symbol Micros:
TBCV46
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 10000; 250mW; 60V; 500mA; 220MHz; -65°C~150°C; Odpowiednik: BCV46,215; BCV46.215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 10000 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: NXP
Symbol producenta: BCV46,215 RoHS FE.
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5440 | 0,3280 | 0,2590 | 0,2390 |
Producent: NXP
Symbol producenta: BCV46,215 RoHS FE.
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
450 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,0400 | 0,5280 | 0,3180 | 0,2520 | 0,2320 |
Producent: Nexperia
Symbol producenta: BCV46,215
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnętrzny:
66000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Proszę czekać na potwierdzenie zamówienia) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,2390 |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 10000 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |