BCV48
Symbol Micros:
TBCV48
Obudowa: SOT89
Tranzystor PNP; 10000; 1W; 60V; 500mA; 200MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV48,115; BCV48H6327XTSA1; BCV48.115; BCV48-QX; BCV48E6327HTSA1; BCV48E6327;
Parametry
| Moc strat: | 1W |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 10000 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Moc strat: | 1W |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 10000 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Częstotliwość graniczna: | 200MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 500mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |