BCV49TA DIODES

Symbol Micros: TBCV49TA Diodes
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT89
Transistor NPN - Darlington; 60V; 10V; 170MHz; 500mA; 1,5W; -55°C~150°C;
Parametry
Moc strat: 1,5W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2027-12-31
Ilość szt.: 1000
Moc strat: 1,5W
Producent: DIODES
Obudowa: SOT89
Częstotliwość graniczna: 170MHz
Maksymalny prąd kolektora: 500mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 60V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN