BCV61C

Symbol Micros: TBCV61c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT143
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xNPN; 800; 300mW; 30V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV61C,215;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT143
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCV61CE6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT143 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
848 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9790 0,4650 0,2620 0,1990 0,1780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: Infineon Technologies
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Obudowa: SOT143
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xNPN

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta