BCV62C

Symbol Micros: TBCV62c
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT143
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor 2xPNP; 800; 300mW; 30V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCV62C,215; BCV62CE6327;
Parametry
Moc strat: 300mW
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT143
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Producent: Infineon Symbol producenta: BCV62CE6327 RoHS Obudowa dokładna: SOT143 t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
895 szt.
ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3000 0,6890 0,5340 0,4930 0,4720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 300mW
Producent: Infineon Technologies
Obudowa: SOT143
Częstotliwość graniczna: 250MHz
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 30V
Temperatura pracy (zakres): -65°C ~ 150°C
Typ tranzystora: 2xPNP

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta