BCV65
Symbol Micros:
TBCV65
Obudowa: SOT143
NPN, PNP 100mA 30V 250mW BCV65,215; BCV65.215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT143 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT143 |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 800 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 30V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN/PNP |