BCW33 NXP
Symbol Micros:
TBCW33 NXP
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 600; 250mW, 32V; 100mA; 100MHz, -65°C ~ 150°C; BCW33LT1G; BCW33LT3G; BCW33,215; BCW33.215;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Obudowa: | SOT23-3 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 600 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |