BCW33LT1G SOT23-3 ONS

Symbol Micros: TBCW33 ONS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23-3
Tranzystor NPN; 800; 225mW, 32V; 100mA; 180MHz, -55°C ~ 150°C;
Parametry
Moc strat: 225mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 32V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
         
 
Pozycja dostępna na zamówienie
Moc strat: 225mW
Producent: ON SEMICONDUCTOR
Obudowa: SOT23-3
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 800
Maksymalny prąd kolektora: 100mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 32V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN