BCW61C smd INFINEON
Symbol Micros:
TBCW61c
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 460; 330mW; 32V; 100mA; 250MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW61C,215; BCW61C,235; BCW61CE6327HTSA1; BCW61CE6327;
Parametry
| Moc strat: | 330mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 460 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCW61CE6327HTSA1 RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2700 szt.
| ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5100 | 0,2340 | 0,1270 | 0,0952 | 0,0850 |
Producent: Infineon
Symbol producenta: BCW61CE6327HTSA1
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
| ilość szt. | 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,1396 |
| Moc strat: | 330mW |
| Producent: | Infineon Technologies |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 460 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 250MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |