BCW61D
Symbol Micros:
TBCW61d
Obudowa: SOT23
Tranzystor PNP; 630; 250mW; 32V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW61D,215; BCW61DE6327HTSA1;
Parametry
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
| Moc strat: | 250mW |
| Producent: | NXP |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 630 |
| Obudowa: | SOT23 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Maksymalny prąd kolektora: | 100mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 32V |
| Temperatura pracy (zakres): | -65°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |