BCW66G smd
Symbol Micros:
TBCW66g
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 400; 225mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW66GLT1G; BCW66GLT3G; BCW66G-TP; BCW66GR; BCW66GVL;
Parametry
| Moc strat: | 225mW |
| Producent: | CDIL |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
Producent: CDIL
Symbol producenta: TBCW66G RoHS
Obudowa dokładna: SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
| ilość szt. | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,4320 | 0,1700 | 0,0993 | 0,0727 | 0,0664 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCW66GLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
180000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0664 |
Producent: ON-Semicoductor
Symbol producenta: BCW66GLT1G
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
306000 szt.
| ilość szt. | 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,0664 |
| Moc strat: | 225mW |
| Producent: | CDIL |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 400 |
| Częstotliwość graniczna: | 100MHz |
| Obudowa: | SOT23 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 800mA |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 45V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |