BCW66G smd

Symbol Micros: TBCW66g
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor NPN; 400; 225mW; 45V; 800mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BCW66GLT1G; BCW66GLT3G; BCW66G-TP; BCW66GR; BCW66GVL;
Parametry
Moc strat: 225mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: CDIL
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Producent: CDIL Symbol producenta: TBCW66G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4710 0,1860 0,1080 0,0792 0,0724
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Moc strat: 225mW
Współczynnik wzmocnienia prądowego: 400
Częstotliwość graniczna: 100MHz
Producent: CDIL
Obudowa: SOT23
Maksymalny prąd kolektora: 800mA
Maksymalne napięcie kolektor-emiter: 45V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Typ tranzystora: NPN